MPQ18913GRPE-AEC1-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 300 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-10 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MPQ18913GRPE-A-AEC1-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 300 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-10 封装。FDMF3170
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 70 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 PQFN-39 封装。FAN7888MX
onsemi · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers、驱动器数 3 Driver，采用 SOIC-20 封装。FAN8811TMPX
onsemi · 封装：WDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Full-Bridge, Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 WDFN-10 封装。NCP302155MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-31 5x5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-31 5x5 封装。NCP303150MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 50 A, 80 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-39 封装。NCP303160MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-39
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 55 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PQFN-39 封装。NCP303750MNTWG
onsemi · 封装：PQFN-31
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Gate Drivers，采用 PQFN-31 封装。NCP339BFCT2G
onsemi
主要参数包括电源电压（最小值） 1.2 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers。NCP5106BDR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 700 mV、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。NCP5109ADR2G
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 300 mV、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。NCP51100ASNT1G
onsemi · 封装：SOT23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 11 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18.3 V、输出电流 2 A、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT23-5 封装。NCP51105ASNT1G
onsemi · 封装：TSOP-6
主要参数包括电源电压（最小值） 12.7 V、电源电压（最大值） 25 V、类型 Single、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 TSOP-6 封装。LMG3425R030RQZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 High-Side, Low-Side、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。UCC27282DRCTG4
Texas Instruments
Gate Drivers 3-A 120-V half-brid ge gate driver withLMG3426R030RQZT
Texas Instruments · 封装：VQFN-54
主要参数包括电源电压（最小值） 7.5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、产品 GaN-on-Si FET with Integrated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 VQFN-54 封装。LMG3426R050RQZR
Texas Instruments
主要参数包括湿敏性 是。TPS48111LQDGXRQ1
Texas Instruments
主要参数包括晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。TPS48120QRGERQ1
Texas Instruments · 封装：VQFN-23
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 95 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 VQFN-23 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。