MIC4468ZN
Microchip Technology · 封装:PDIP-14
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 PDIP-14 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Microchip Technology · 封装:PDIP-14
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 PDIP-14 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.75 V、电源电压(最大值) 30 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.75 V、电源电压(最大值) 30 V、输出电压 15 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.75 V、电源电压(最大值) 30 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.75 V、电源电压(最大值) 30 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOT-143
主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 9 V、输出电流 9.5 uA、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOT-143 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:PDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side,采用 PDIP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:TO-220
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 TO-220 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。