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型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

V62/07615-01XE

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 7.6 V、输入/电源电压(最大值) 18 V、输出电压 18 V、输出电流 1 A、开关频率 1 MHz、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

V62/07615-02XE

Texas Instruments · 封装:SOIC-8

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 7.6 V、输入/电源电压(最大值) 18 V、输出电压 18 V、输出电流 1 A、开关频率 1 MHz、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。

LT8311EFE#PBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.009524 oz。

LT8311EFE#TRPBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。

LT8311HFE#PBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.009524 oz。

LT8311HFE#TRPBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。

LT8311IFE#PBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 125 C、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.009524 oz。

LT8311IFE#TRPBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。

LT8311MPFE#PBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、单件重量 0.009524 oz。

LT8311MPFE#TRPBF

Analog Devices

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。

MAX17498BATE+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-16

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 4.5 V、输入/电源电压(最大值) 36 V、输出电压 5 V、输出电流 2 A、开关频率 500 kHz、技术 Si,采用 TQFN-16 封装。

MAX17498CATE+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TQFN-16

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 4.5 V、输入/电源电压(最大值) 36 V、输出电压 5 V、开关频率 250 kHz、技术 Si、类型 Current Mode,采用 TQFN-16 封装。

MCP1012-V/EKA

Microchip Technology · 封装:SOIC-7

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、输出电压 11.1 V、开关频率 940 Hz、技术 Si、类型 Primary-Side Start-Up IC,采用 SOIC-7 封装。

TNY5072K-TL

Power Integrations · 封装:eSOP-12

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 150 kHz、输出功率 20 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 66 %,采用 eSOP-12 封装。

TNY5072V

Power Integrations · 封装:eDIP-12

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 150 kHz、输出功率 20 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 66 %,采用 eDIP-12 封装。

TNY5074V

Power Integrations · 封装:eDIP-12

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 150 kHz、输出功率 35 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 66 %,采用 eDIP-12 封装。

TNY5075E

Power Integrations · 封装:eSIP-7

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 150 kHz、输出功率 70 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 66 %,采用 eSIP-7 封装。

INN3947CQ-MR

Power Integrations · 封装:InSOP-24D

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 40 V、输入/电源电压(最大值) 1.2 kV、输出电压 5~24 V、开关频率 25~95 kHz、技术 碳化硅(SiC)、输出功率 35 W,采用 InSOP-24D 封装。

INN3949FQ-MR

Power Integrations · 封装:InSOP-T28G

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 40 V、输入/电源电压(最大值) 1.2 kV、输出电压 5~24 V、开关频率 25~95 kHz、技术 碳化硅(SiC)、输出功率 60 W,采用 InSOP-T28G 封装。

TNY5073V

Power Integrations · 封装:eDIP-12

主要参数包括输入/电源电压(最小值) 85 VAC、输入/电源电压(最大值) 265 VAC、开关频率 150 kHz、输出功率 30 W、拓扑结构 Flyback、占空比(最大值) 66 %,采用 eDIP-12 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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