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MCP14T0517B-E/CHVAO

Microchip Technology · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 Transformer Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。
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MCP14T0517BT-E/CH

Microchip Technology · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 Transformer Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。
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MD1715K6-G-M935

Microchip Technology · 封装：VQFN-40

主要参数包括技术 Si、湿敏性 是，采用 VQFN-40 封装。
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MIC2981/82YWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-18

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、原产国家或地区 中国、湿敏性 是，采用 SOIC-18 封装。
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MIC4126YML-TR

Microchip Technology · 封装：MLF-8

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是、型号别名 MIC4126YML TR，采用 MLF-8 封装。
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MIC2981/82YWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-18

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 中国，采用 SOIC-18 封装。
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MIC4100YM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4100YM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4100YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4101YM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4101YM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、组装国家或地区 TH、原产国家或地区 TH、湿敏性 是、型号别名 MIC4101YM TR，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4102YM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4126YME

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4126YME-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。
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MIC4467ZN

Microchip Technology · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-14 封装。
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MIC4469YN

Microchip Technology · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-14 封装。
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MIC4467ZWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。
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MIC4467ZWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4467ZWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-16 封装。
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MIC4468YN

Microchip Technology · 封装：PDIP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。
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MIC4468YWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。
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MIC4468YWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。
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