LTC4441ES8-1#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 25 V，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC4441ES8-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 25 V，采用 SOIC-8 封装。LTC4444EMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444EMS8E-5#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 7.2～13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444EMS8E-5#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 100 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444HMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。MAX15024AATB/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、配置 Inverting, Non-Inverting、上升时间 24 ns，采用 TDFN-10 封装。MAX4420EPA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。MAX17602ATA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX17602，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX17602AUA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 UMAX-8 封装。MAX17602AUA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：UMAX-EP-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、型号别名 MAX17602，采用 UMAX-EP-8 封装。MAX17603ASA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MAX22702DASA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括原产国家或地区 中国台湾，采用 SOIC-Narrow-8 封装。MAX4420CPA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MAX4420CSA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MAX4420CSA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-Narrow-8 封装。MAX4420ESA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 6 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC2981/82YN
Microchip Technology · 封装：DIP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 TH，采用 DIP-18 封装。MCP14T0517A-E/CHVAO
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 Transformer Driver、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。MCP14T0517AT-E/CH
Microchip Technology · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、产品 Transformer Driver、最小工作温度 - 40 C，采用 SOT-23-6 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。