2SP0430T2A0-FF1500R12IE5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录2SP0430T2A0-FF1500R17IP5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。2SP0430T2A0-FF1800R12IE5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。SIC1181KQ
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。RT9624DGQWA
Richtek · 封装：WDFN-8SL
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8SL 封装。RT9624AZQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9624AZS
Richtek · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。RT9624BZQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9624CGQWA
Richtek · 封装：WDFN-8SL
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 46 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8SL 封装。RT9624FGQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9624GGQWA
Richtek · 封装：WDFN-8SL
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 100 mA、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8SL 封装。TS13401EVB
Semtech
主要参数包括原产国家或地区 中国。TS30042Q-M000QFNR
Semtech
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚。LTC3900MPS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC3900IS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC3900MPS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC4444IMS8E-5#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 100 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC7000IMSE-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16-12
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16-12 封装。LTC4444MPMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444MPMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。