4DUD51016CFN1
Tamura
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 9-4DUD51016CFN1ZY。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MP18811-4EGS-P
Monolithic Power Systems (MPS)
Gate DriversMP18871-A4CGSE-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-16 NB
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 NB 封装。MP1909GTL-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOT583-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOT583-8 封装。MP1911GTL-P
Monolithic Power Systems (MPS)
Gate Drivers 2.5V - 16V, 1A, H-Bridge Solenoid Valve Driver In SOT 583TPSI3103DVXR
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Gate Drivers，采用 SO-MOD-16 封装。TPSI3100QDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 碳化硅（SiC）、产品 Gate Drivers、上升时间 10 ns、下降时间 10 ns，采用 SO-MOD-16 封装。TPSI3113QDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Isolated Switch Drivers，采用 SSOP-16 封装。UCC27614DSGR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 10 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 WSON-8 封装。TPSI3120DVXR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 Si、产品 Isolated Switch Drivers，采用 SSOP-16 封装。TPSI3120QDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Isolated Switch Drivers，采用 SSOP-16 封装。TPSI3123DVXR
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 Si、产品 Isolated Switch Drivers，采用 SSOP-16 封装。TPSI3123QDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Isolated Switch Drivers，采用 SSOP-16 封装。TPSI3133DVXR
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Gate Drivers，采用 SO-MOD-16 封装。TPSI3133QDVXRQ1
Texas Instruments · 封装：SO-MOD-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅（SiC）、产品 Gate Drivers，采用 SO-MOD-16 封装。UCC27611DRVTG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 菲律宾。UCC27614DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27614QDGNRQ1
Texas Instruments · 封装：HVSSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 10 A、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 Gate Drivers，采用 HVSSOP-8 封装。UCC27624VDGNR
Texas Instruments · 封装：SSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电压 26 V、输出电流 5 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Low-Side，采用 SSOP-8 封装。UCC27614QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 10 A、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。