2SP0430T2A0-FF1800R17IP5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录2SP0430T2B0-FF1500R12IE5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。2SP0430T2B0-FF1500R17IP5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。2SP0430T2B0-FF1800R12IE5
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。2SP0430T2B0-FF1800R17IP5
Power Integrations · 封装：PrimePACK™ 3+
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 16.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 PrimePACK™ 3+ 封装。2SP0430V2A0C-FF1800R12IE5
Power Integrations
主要参数包括原产国家或地区 LK。2SP0430V2B0C-FF1800R12IE5
Power Integrations
主要参数包括原产国家或地区 HK。IHD260IT1
Power Integrations
主要参数包括商品名称 Scale。SIC1182KQ-TL
Power Integrations
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、商品名称 FluxLink。SIC1182KQ
Power Integrations
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 8 A、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。LCS708LG
Power Integrations · 封装：eSIP-16K
主要参数包括电源电压（最小值） 90 V、电源电压（最大值） 380 V、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C，采用 eSIP-16K 封装。LCS705LG
Power Integrations · 封装：eSIP-16K
主要参数包括电源电压（最小值） 11.4 V、电源电压（最大值） 15 V、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 1 Output，采用 eSIP-16K 封装。RT9611AGQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 30 V、输出电流 2.2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9611CGQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 30 V、输出电流 2.2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9612BZS
Richtek · 封装：SOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 30 V、输出电流 2.2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOP-8 封装。RT9614AGQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 2.2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。RT9614CGQW
Richtek · 封装：WDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 46 V、输出电流 2.2 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 WDFN-8 封装。2QG020DDC11N
Tamura
主要参数包括型号别名 9-2QG020DDC11NZY。4DUC51016CFA1
Tamura
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 9-4DUC51016CFA1ZY。4DUC51016CFA2
Tamura
主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 9-4DUC51016CFA2ZY。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。