DRF1510
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 15 A、类型 Full-Bridge、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录HPFM-00117
Microchip Technology
主要参数包括电源电压（最小值） 14.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 - 10 V, 15 V、输出电流 30 A、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。MP1917AGR-P
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。MPQ18811-10EGY-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MPQ18811-10CGY-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MPQ18811-10FGY-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MPQ18913GRPE-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 300 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-10 封装。MP1918GQE-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 100 V、输出电流 5 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。MPQ1918GQE-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：FCQFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL，采用 FCQFN-14 封装。MP1930GQN-Z
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-26
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 10 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 Gate Drivers，采用 QFN-26 封装。MPQ18913GRPE-A-AEC1-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：QFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 300 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Full-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 QFN-10 封装。MP1911GTL-Z
Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括原产国家或地区 中国。MP1909GTL-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：SOT583-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOT583-8 封装。MP8699BGC-P
Monolithic Power Systems (MPS) · 封装：WLCSP-12L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 1 Output，采用 WLCSP-12L 封装。FAN3111ESX
onsemi · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOT-23-5 封装。FAN3121TMPX
onsemi · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLP-8 封装。FAN3122CMX
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN3111CSX
onsemi · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOT-23-5 封装。FAN3100TSX
onsemi · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。FAN3122TM1X-F085
onsemi · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。