芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

UCC57148ADBVR

Texas Instruments · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3 A、技术碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOT-23-6 封装。

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UCC57148AQDBVRQ1

Texas Instruments · 封装：SOT-23-6

主要参数包括电源电压（最小值） 8.5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 3 A、技术碳化硅（SiC）、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL，采用 SOT-23-6 封装。

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UCC5881QDFCRQ1

Texas Instruments · 封装：SSOP-32

主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 5 A, 15 A、技术碳化硅（SiC）、逻辑类型 CMOS、产品 Gate Drivers，采用 SSOP-32 封装。

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UCD7100APWP

Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.25 V、电源电压（最大值） 14.5 V、输出电压 - 1 V to 16 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 HTSSOP-14 封装。

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UCD7100APWPG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、湿敏性是。

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UCD7100APWPR

Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14

主要参数包括电源电压（最小值） 4.25 V、电源电压（最大值） 14.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 HTSSOP-14 封装。

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UCD7138DRSTG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区菲律宾。

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UCD7232RTJTG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区马来西亚、湿敏性是。

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UCD7242RSJRG4

Texas Instruments

Gate Drivers Digital Dual Synchro nous Buck Power Dri

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V62/08630-01XE

Texas Instruments · 封装：HSOP-20

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、最小工作温度 - 55 C，采用 HSOP-20 封装。

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V62/11601-01XE

Texas Instruments · 封装：VSSOP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 VSSOP-8 封装。

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V62/11601-02YE

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、上升时间 35 ns，采用 SOIC-8 封装。

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V62/11601-02YE-T

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、上升时间 35 ns，采用 SOIC-8 封装。

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V62/14601-01XE

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 10 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 VQFN-32 封装。

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DRF1201

Microchip Technology

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 8 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver。

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DRF1211

Microchip Technology

Gate Drivers RF MOSFET (VDMOS) Driver Hybrid 1000 V 1000 W 30 MHz T2B

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DRF1300

Microchip Technology

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 8 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

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DRF1301

Microchip Technology

主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 8 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

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DRF1400

Microchip Technology · 封装：Module

主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 8 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 Module 封装。

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MCP1401T-E/OTVAO

Microchip Technology · 封装：SOT-23-5

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 500 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers，采用 SOT-23-5 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。