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Texas Instruments · 封装:SO-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers,采用 SO-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SO-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers,采用 SO-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Driver,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SO PowerPAD-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SO PowerPAD-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Driver,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Driver,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:SO PowerPAD-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Gate Drivers,采用 SO PowerPAD-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Driver、驱动器数 2 Driver,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 3.7 A, 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:HVSSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 0~18 V、输出电流 9 A, 9 A、技术 Si、类型 Low-Side,采用 HVSSOP-8 封装。Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 MX。Texas Instruments · 封装:HVSSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 0~18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low-Side,采用 HVSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 0~18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low-Side,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:HVSSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 0~18 V、输出电流 4 A, 4 A、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 HVSSOP-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8.5 V、电源电压(最大值) 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8.5 V、电源电压(最大值) 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-6
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 26 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOT-23-6 封装。Texas Instruments · 封装:SOT-23-6
主要参数包括电源电压(最小值) 8.5 V、电源电压(最大值) 26 V、输出电流 3 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOT-23-6 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。