TPSI3100LDVXR
Texas Instruments · 封装:SO-MOD-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅(SiC)、产品 Gate Drivers,采用 SO-MOD-16 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Texas Instruments · 封装:SO-MOD-16
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 17 V、输出电流 1.5 A, 2.5 A、技术 碳化硅(SiC)、产品 Gate Drivers,采用 SO-MOD-16 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 VSON-8 封装。Texas Instruments · 封装:SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SO-PowerPad-8 封装。Texas Instruments · 封装:SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SO-PowerPad-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 16.3 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Drivers,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 16.3 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 2.5 A, 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 2.5 A, 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers,采用 VSON-10 封装。Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国。Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 中国。Texas Instruments · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Texas Instruments · 封装:VSON-10
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 17 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers,采用 VSON-10 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。