芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

DRV8353HMRTATG4

Texas Instruments

Gate Drivers 102-V max 3-phase sm art gate driver wit

查看资料询价

DRV8353HRTARG4

Texas Instruments

Gate Drivers 102-V max 3-phase sm art gate driver wit

查看资料询价

DRV8353SMRTAT

Texas Instruments · 封装：WQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 100 V、输出电流 1 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 6 Driver，采用 WQFN-40 封装。

查看资料询价

DRV8353SMRTATG4

Texas Instruments

Gate Drivers 102-V max 3-phase sm art gate driver wit

查看资料询价

DRV8701ERGERG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区菲律宾。

查看资料询价

DRV8704DCPRG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、湿敏性是。

查看资料询价

DRV8705HQRHBRQ1

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、输出电流 5 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 VQFN-32 封装。

查看资料询价

DRV8705SQRHBRQ1

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、输出电流 5 mA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 VQFN-32 封装。

查看资料询价

DRV8706HQRHBRQ1

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

查看资料询价

DRV8706SQRHBRQ1

Texas Instruments · 封装：VQFN-32

查看资料询价

DRV8711DCPRG4

Texas Instruments

主要参数包括原产国家或地区中国台湾、湿敏性是。

查看资料询价

DRV8714HQRHARQ1

Texas Instruments · 封装：VQFN-40

主要参数包括电源电压（最小值） 4.9 V、电源电压（最大值） 37 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 VQFN-40 封装。

查看资料询价

LM2005DSGR

Texas Instruments · 封装：WSON-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-8 封装。

查看资料询价

LM2101DR

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

LM2101DSGR

Texas Instruments · 封装：WSON-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-8 封装。

查看资料询价

LM2103DR

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Drivers，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

LM2104DR

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 250 mV, 800 mV、输出电流 500 mA, 800 mA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

LM2105DR

Texas Instruments · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 18 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-8 封装。

查看资料询价

LM2105DSGR

Texas Instruments · 封装：WSON-8

主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-8 封装。

查看资料询价

LMG1025QDEERQ1

Texas Instruments · 封装：WSON-6

主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 5.25 V、输出电流 7 A、技术氮化镓（GaN）、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 WSON-6 封装。

查看资料询价

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。