FAN3268TMX
onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 27 V、输出电压 30 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 1.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High-Side,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 1.5 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 Driver ICs - Various,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.8 V、电源电压(最大值) 9.8 V、输出电压 1.35 V, 35 mV、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 Driver ICs - Various,采用 SOP-8 封装。onsemi · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 30 mV to 1.2 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High-Side,采用 SOP-8 封装。onsemi · 封装:SOP-14
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 300 mV、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 SOP-14 封装。onsemi · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOP-8 封装。onsemi · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 15 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOP-8 封装。onsemi · 封装:SOP-14
主要参数包括电源电压(最小值) 15 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOP-14 封装。onsemi · 封装:SOIC-20
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers,采用 SOIC-20 封装。onsemi · 封装:SOIC-28
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-28 封装。onsemi · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。onsemi · 封装:SOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 22 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Gate Drivers,采用 SOP-8 封装。onsemi
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 3 A、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。onsemi · 封装:SOIC-16
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电压 20 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge,采用 SOIC-16 封装。onsemi · 封装:SOIC-14
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-14 封装。onsemi · 封装:SOIC-14
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-14 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。