MIC4607A-2YML-TR
Microchip Technology · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 3-Phase / Three Phase、逻辑类型 TTL，采用 VQFN-28 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC5011YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5011YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5011YN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.75 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。MIC5013YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5013YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5013YN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7 V、电源电压（最大值） 32 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。MIC5014YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC5014YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC5019YFT-T5
Microchip Technology · 封装：QFN-4
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 9 V、输出电压 11.4 V、输出电流 10.6 uA、技术 Si、类型 High-Side，采用 QFN-4 封装。MIC5019YFT-TR
Microchip Technology · 封装：QFN-4
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 9 V、输出电流 10.6 uA、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 QFN-4 封装。MIC5020YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11 V、电源电压（最大值） 50 V、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5020YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 11 V、电源电压（最大值） 50 V、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5021YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5021YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。MIC5021YN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 36 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 PDIP-8 封装。MIC5060YML-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.75 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MLF-8 封装。RE46C305Q16
Microchip Technology
主要参数包括最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C。RE46C305Q16T
Microchip Technology
主要参数包括最小工作温度 - 20 C、最大工作温度 + 85 C。TC4421AVOA713-VAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。