MIC4452VM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4452YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4452YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4452YN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 PDIP-8 封装。MIC4469ZN
Microchip Technology · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-14 封装。MIC4469ZWM
Microchip Technology · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.2 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。MIC4469ZWM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4469ZWM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC44F18YML-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLF-8 封装。MIC44F18YMME
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 MSOP-8 封装。MIC44F18YMME-TR
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC44F18YMME TR、单件重量 0.004938 oz，采用 MSOP-8 封装。MIC44F19YML-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLF-8 封装。MIC44F19YMME
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MIC44F19YMME-TR
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MIC44F20YML-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC44F20YML TR，采用 MLF-8 封装。MIC44F20YMME
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MIC44F20YMME-TR
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MIC4600YML-TR
Microchip Technology · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 20 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 QFN-16 封装。MIC4604YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4604YMT-TR
Microchip Technology · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-10 封装。MIC4607A-1YML-TR
Microchip Technology · 封装：VQFN-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 3-Phase / Three Phase、逻辑类型 TTL，采用 VQFN-28 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。