芯片型号库｜技术参数与数据手册

型号列表

134,686 条型号记录

每页 20 条

MIC4422ZM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4422ZM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、原产国家或地区 TH、湿敏性是、型号别名 MIC4422ZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4422ZN

Microchip Technology · 封装：DIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 DIP-8 封装。

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MIC4422ZT

Microchip Technology · 封装：TO-220

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。

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MIC4423YM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4423YM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4423YN

Microchip Technology · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 PDIP-8 封装。

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MIC4423YWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4423YWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4423ZN

Microchip Technology · 封装：DIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。

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MIC4423ZWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4423ZWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性是、型号别名 MIC4423ZWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4424YM

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4424YM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。

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MIC4424YN

Microchip Technology · 封装：DIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-8 封装。

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MIC4424YWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4424YWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4424ZN

Microchip Technology · 封装：PDIP-8

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 PDIP-8 封装。

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MIC4424ZWM

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

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MIC4424ZWM-TR

Microchip Technology · 封装：SOIC-16

主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-16 封装。

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型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。