MCP14A0305T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0453T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0453T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0453T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0454T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0454T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0454T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0455-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0455-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0901-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0901T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0901T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0901T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0902T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0902T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 MSOP-8 封装。MCP14A0902T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOIC-8 封装。MCP14E4T-E/SNVAO
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422YN
Microchip Technology · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。