MIC4421AZM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4421AZM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4421AZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4421AZN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 PDIP-8 封装。MIC4421AZT
Microchip Technology · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。MIC4421YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4421YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4421YN
Microchip Technology · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 DIP-8 封装。MIC4421ZM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4421ZM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、原产国家或地区 TH、湿敏性 是、型号别名 MIC4421ZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4421ZN
Microchip Technology · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 DIP-8 封装。MIC4421ZT
Microchip Technology · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。MIC4422AYM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422AYM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422AYN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MIC4422AZM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4422AZM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4422AZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4422AZN
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-8 封装。MIC4422AZT
Microchip Technology · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 TO-220 封装。MCP14A0305T-E/MNYVAO
Microchip Technology · 封装：TDFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 Gate Drivers，采用 TDFN-8 封装。MCP14A0305T-E/MSVAO
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。