MAX4896ATP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low-Side、产品 Relay Drivers，采用 TQFN-20 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MAX4896ETP+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-EP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low-Side、产品 Relay Drivers，采用 TQFN-EP-20 封装。MAX4896ETP+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TQFN-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Low-Side、产品 Relay Drivers，采用 TQFN-20 封装。MAX5048AATT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 7.6 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 TDFN-6 封装。MAX5048AAUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 7.6 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT23-6 封装。MAX5048BATT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：DFN-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 7.6 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 DFN-6 封装。MAX5048BAUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 7.6 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。MAX5048CAUT+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 12.6 V、输出电流 7.6 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOT-23-6 封装。MAX5054AATA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX5054AATA/V+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Low-Side、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-EP-8 封装。MAX5054BATA+T
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装：TDFN-EP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 TDFN-EP-8 封装。IRS2302SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。MIC4102YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4103YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4103YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4103YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4104YM
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4104YM-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4104YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。MIC4120YME
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 25 mV、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4120YME-TR
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。MIC4120YML-TR
Microchip Technology · 封装：MLF-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MLF-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。