MAX253EUA+
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:UMAX-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 6 V、输出电流 1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 UMAX-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:UMAX-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 6 V、输出电流 1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 UMAX-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:UMAX-8
主要参数包括电源电压(最小值) 2.5 V、电源电压(最大值) 6 V、输出电流 1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 UMAX-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOT23-6
主要参数包括电源电压(最小值) 4 V、电源电压(最大值) 15.5 V、输出电流 7 A、逻辑类型 TTL、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 SOT23-6 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、驱动器数 2 Driver,采用 TDFN-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-Narrow-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DIP-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DIP-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DIP-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电压 25 mV、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low-Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DIP-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:DIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 DIP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。