ChipSourceHub 美芯科技

电源管理与驱动

按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。

型号列表

134,686 条型号记录
每页 20 条

LTC7060HMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7060HMSE#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7060IMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7060IMSE#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7060IMSE#WPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 100 uA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7060IMSE#WTRPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 100 uA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7060JMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7060JMSE#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电流 100 uA、类型 High-Side, Low-Side、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 MSOP-12 封装。

LTC7061EMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7061IMSE#WPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7061IMSE#WTRPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7062EMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side,采用 MSOP-12 封装。

LTC7062EMSE#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side,采用 MSOP-12 封装。

LTC7062IMSE#WPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side,采用 MSOP-12 封装。

LTC7062IMSE#WTRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 14 V、输出电压 150 mV, 80 mV、输出电流 146 uA、技术 Si、类型 High-Side,采用 MSOP-12 封装。

LTC7063RMSE#PBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 2 Output,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7063RMSE#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 2 Output,采用 MSSOP-12 封装。

LTC7063RMSE#WPBF

Analog Devices · 封装:MSSOP-12

主要参数包括电源电压(最小值) 6 V、电源电压(最大值) 14 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers、输出数 2 Output,采用 MSSOP-12 封装。

MAX15019AASA+T

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SOIC-Narrow-8

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 50 ns,采用 SOIC-Narrow-8 封装。

MAX15019BASA+

Analog Devices / Maxim Integrated · 封装:SO-EP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 12.6 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 SO-EP-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

芯片型号库|技术参数与数据手册|ChipSourceHub 美芯科技