LTC4444IMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC4444IMS8E-5#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 4.5～13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4446EMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 7.2～13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4446EMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 114 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4446IMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4446IMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 114 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4449EDCB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。LTC4449EDCB#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 DFN-8 封装。LTC4449IDCB#TRMPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。LTC4449IDCB#TRPBF
Analog Devices · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 6.5 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。LTC7000ARMSE#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 150 V、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-16 封装。LTC7000ARMSE#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 150 V、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-16 封装。LTC7000ARMSE-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 150 V、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-16 封装。LTC7000ARMSE-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 150 V、逻辑类型 CMOS、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 MSOP-16 封装。LTC7000EMSE#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7000EMSE#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7000EMSE-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16-12
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16-12 封装。LTC7000EMSE-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16-12
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16-12 封装。LTC7000HMSE#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7000HMSE#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。