LTC4440IMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 100 V，采用 MSOP-E-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC4440IS6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。LTC4441IMSE#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5～8 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 MSOP-10 封装。LTC4441IMSE#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 25 V，采用 MSOP-10 封装。LTC4441IS8-1#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LTC4441IS8-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 25 V，采用 SOIC-8 封装。LTC4441MPMSE#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 5～8 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 MSOP-10 封装。LTC4441MPMSE#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-10
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 25 V，采用 MSOP-10 封装。LTC4442EMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 9.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442EMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442EMS8E-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 9.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442EMS8E-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442IMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 9.5 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442IMS8E#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442IMS8E-1#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4442IMS8E-1#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 38 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444EMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444HMS8E-5#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 100 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444HMS8E-5#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 100 V，采用 MSOP-E-8 封装。LTC4444IMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 700 mV、输出电流 3 A、类型 High-Side, Low-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-E-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。