LTC1693-5CMS8#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 MSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC1693-5CMS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 14 V，采用 MSOP-8 封装。LTC1710CMS8#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。LTC1710CMS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 MSOP-8 封装。LTC1710CS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 5.5 V、单件重量 0.006173 oz，采用 SOIC-8 封装。LTC1710CS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC1710IS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC1710IS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 5.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC1981ES5#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 7.5 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 SOT-23-5 封装。LTC1981ES5#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-5
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 7.5 V，采用 SOT-23-5 封装。LTC1982ES6#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电压 7.25 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。LTC1982ES6#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括技术 Si、组装国家或地区 马来西亚、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 7.5 V，采用 SOT-23-6 封装。LTC3900ES8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 11 V、输出电压 3.3 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Low-Side，采用 SOIC-8 封装。LTC3900ES8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC3900HS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC3900HS8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC3900IS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 11 V、输入电压（最小值） 4.5 V，采用 SOIC-8 封装。LTC4440ES6-5#TRMPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 4～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High-Side，采用 SOT-23-6 封装。LTC4440ES6-5#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOT-23-6 封装。LTC4440IMS8E#PBF
Analog Devices · 封装：MSOP-E-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、电源电压（最大值） 80 V、输出电压 8～15 V、输出电流 2.4 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side，采用 MSOP-E-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。