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134,686 条型号记录
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LTC1255CS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 30 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1255IN8#PBF

Analog Devices · 封装:PDIP-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 30 V,采用 PDIP-8 封装。

LTC1255IS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 9 V、电源电压(最大值) 24 V、输出电压 10.5 V、输出电流 23 uA、技术 Si、类型 High-Side,采用 SOIC-8 封装。

LTC1255IS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 30 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1623CMS8#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压(最大值) 5.5 V,采用 MSOP-8 封装。

LTC1623CMS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压(最大值) 5.5 V,采用 MSOP-8 封装。

LTC1623CS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 2.7 V、电源电压(最大值) 5.5 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver,采用 SOIC-8 封装。

LTC1623CS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 5.5 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1623IS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 5.5 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1623IS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 5.5 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-1CS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-1CS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 14 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-1IS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-1IS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 14 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-2CS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-2CS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 14 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-2IS8#PBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-2IS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:SOIC-8

主要参数包括技术 Si、晶圆制造国家或地区 美国、原产国家或地区 马来西亚、输入电压(最大值) 14 V,采用 SOIC-8 封装。

LTC1693-3CMS8#PBF

Analog Devices · 封装:MSOP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 13.2 V、输出电压 11.97 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High-Side, Low-Side,采用 MSOP-8 封装。

LTC1693-3CMS8#TRPBF

Analog Devices · 封装:MSOP-8

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH、输入电压(最大值) 14 V,采用 MSOP-8 封装。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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