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Tamura
Gate Drivers GATE DRIVER for FF1800R17IP5电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LT1161IN#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High-Side、逻辑类型 CMOS，采用 PDIP-20 封装。LT1161ISW#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-20 封装。LT1161ISW#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 4 Driver，采用 SOIC-20 封装。LT1162CSW#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Full-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-24 封装。LT1162CSW#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-24
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 8 V，采用 SOIC-24 封装。LT1162ISW#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 60 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Full-Bridge，采用 SOIC-24 封装。LT1162ISW#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-24
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 8 V，采用 SOIC-24 封装。LT1336CN#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-16 封装。LT1336CS#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。LT1336CS#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 9 V，采用 SOIC-16 封装。LT1336IN#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PDIP-16 封装。LT1336IS#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 10.6 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。LT1336IS#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 60 V、输入电压（最小值） 9 V，采用 SOIC-16 封装。LT1910ES8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LT1910ES8#TRPBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-8 封装。LT1910IS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。LT8418ACBZ-R7
Analog Devices · 封装：WLCSP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 3.85 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 氮化镓（GaN）、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL、产品 Gate Drivers，采用 WLCSP-12 封装。LTC1154CN8#PBF
Analog Devices · 封装：PDIP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、原产国家或地区 马来西亚、输入电压（最大值） 22 V，采用 PDIP-8 封装。LTC1154CS8#PBF
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 18 V、技术 Si、类型 High-Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。