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电源管理与驱动

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134,686 条型号记录
每页 20 条

MADRCC0002

MACOM

主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 马来西亚。

VOW3120-X001

Vishay Semiconductors · 封装:DIP-8

主要参数包括电源电压(最小值) 15 V、电源电压(最大值) 32 V、输出电压 500 mV、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 Single,采用 DIP-8 封装。

1SD536F2-FZ1200R33KF1

Power Integrations

主要参数包括原产国家或地区 LK、商品名称 Scale-1。

1SC0450E2B0C-45

Power Integrations

主要参数包括电源电压(最小值) 14.5 V、电源电压(最大值) 15.5 V、输出电压 4.5 kV、输出电流 50 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。

1SC0450E2B0C-65

Power Integrations

主要参数包括电源电压(最小值) 14.5 V、电源电压(最大值) 15.5 V、输出电压 6.4 kV、输出电流 50 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。

1SC0450V2B0C-45

Power Integrations

主要参数包括电源电压(最小值) 14.5 V、电源电压(最大值) 15.5 V、输出电压 4.5 kV、输出电流 50 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。

1SC0450V2B0C-65

Power Integrations

主要参数包括电源电压(最小值) 14.5 V、电源电压(最大值) 15.5 V、输出电压 6.5 kV、输出电流 50 A、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers。

1SD536F2-5SNA1200E250100

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

1SD536F2-5SNA2400E120100

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

1SD536F2-CM800E2C-66H

Power Integrations

主要参数包括原产国家或地区 LK、商品名称 Scale-1。

1SD536F2-MG1200FXF1US53

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

1SD536F2-MIO1200-25E10

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

1SD536F2-MIO1200-33E10

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

1SD536F2-MIO1800-17E10

Power Integrations

主要参数包括商品名称 Scale-1。

2CG010BBC14N

Tamura

主要参数包括电源电压(最小值) 13.5 V、电源电压(最大值) 26.4 V、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

2CG010BBC11N

Tamura

主要参数包括电源电压(最小值) 13.5 V、电源电压(最大值) 26.4 V、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

2CG010BBC12N

Tamura

主要参数包括电源电压(最小值) 13.5 V、电源电压(最大值) 26.4 V、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

2CG010BBC13N

Tamura

主要参数包括电源电压(最小值) 13.5 V、电源电压(最大值) 26.4 V、技术 碳化硅(SiC)、类型 Half-Bridge、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 2 Driver。

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。

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