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134,686 条型号记录
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1ED2127S65FXUMA1

Infineon Technologies · 封装:PG-DSO-8

主要参数包括电源电压(最大值) 25 V、输出电压 460 mV、输出电流 4 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 High-Side、产品 Gate Drivers,采用 PG-DSO-8 封装。

1EBN1002AEXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括湿敏性 是、型号别名 1EBN1002AE SP001425878。

1ED21271S65FXUMA1

Infineon Technologies · 封装:PG-DSO-8

主要参数包括电源电压(最大值) 25 V、输出电压 460 mV、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 Gate Drivers,采用 PG-DSO-8 封装。

1ED21471S65FXUMA1

Infineon Technologies · 封装:PG-DSO-8

主要参数包括电源电压(最大值) 25 V、输出电压 460 mV、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High-Side、产品 Gate Drivers,采用 PG-DSO-8 封装。

1ED3122MU12HXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电流 10 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。

1ED2147S65FXUMA1

Infineon Technologies · 封装:PG-DSO-8

主要参数包括电源电压(最大值) 25 V、输出电压 460 mV、输出电流 4 A、技术 碳化硅(SiC)、类型 High-Side、产品 Gate Drivers,采用 PG-DSO-8 封装。

1ED3010MC12IXUMA1

Infineon Technologies · 封装:LDSO-6

主要参数包括电源电压(最小值) 9.6 V、电源电压(最大值) 32 V、输出电流 6 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 LDSO-6 封装。

1ED3011MC12IXUMA1

Infineon Technologies · 封装:LDSO-6

主要参数包括电源电压(最小值) 9.6 V、电源电压(最大值) 32 V、输出电流 6 A、技术 Si、产品 Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 LDSO-6 封装。

1ED3120MC12HXUMA1

Infineon Technologies · 封装:DSO-8

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 5.5 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output,采用 DSO-8 封装。

1ED3120MU12HXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电流 5.5 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。

1ED3121MC12HXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 5.5 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。

1ED3121MU12HXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电流 5.5 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。

1ED3122MC12HXUMA1

Infineon Technologies

主要参数包括电源电压(最小值) 3.1 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电流 10 A、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output。

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