zSPM2000 Kit 01 V.1.0
IDT
主要参数包括技术 Si。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC21732QDWRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 13 V、输出电流 10 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。DGD2136MS28-13
Diodes Incorporated · 封装：SO-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-28 封装。SI8286CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。MIC4423ZWM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-16
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4423ZWM TR、单件重量 0.023492 oz，采用 SOIC-16 封装。MC34931SEK
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 36 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-32 封装。MC33883HEG
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-20W
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 55 V, 28 V、工作电源电压 5.5 V to 55 V, 5.5 V to 28 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-20W 封装。MC33816AE
NXP Semiconductors · 封装：LQFP-64
主要参数包括电源电压（最小值） 2.375 V、电源电压（最大值） 2.625 V、输出电压 7 V、输出电流 - 15 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LQFP-64 封装。MC34932EK
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-54-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 5～28 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-54-EP 封装。MC34931EK
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-32-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 5～28 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-32-EP 封装。MC33932VW
NXP Semiconductors · 封装：HSOP-44
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 7 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 HSOP-44 封装。MC34933EP
NXP Semiconductors · 封装：UQFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.5 V、电源电压（最大值） 6 V、输出电压 + 2 V to + 7 V、输出电流 1.4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 UQFN-16 封装。MC33880PEWR2
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935320246518、单件重量 0.017990 oz。MC33797BPEWR2
NXP Semiconductors · 封装：SOICW-32
主要参数包括输出电压 7 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Driver ICs - Various、上升时间 20 ns，采用 SOICW-32 封装。MC33880PEG
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 24.5 V、工作电源电压 5.5～24.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。MC34937APEK
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-54-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 58 V、工作电源电压 8～40 V、输出电压 5.5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-54-EP 封装。MC20XS4200BAFKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070549578、单件重量 0.034297 oz。MC34937APEKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935323431518、单件重量 0.027776 oz。MC10XS4200BAFKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070607578、单件重量 0.034297 oz。MC10XS4200BFKR2
NXP Semiconductors
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 934070604578、单件重量 0.034297 oz。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。