IRS2004PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MIC4427ZM
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3229CMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3217TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。FAN3216TMX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。TC4427AEMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。TC4426AEMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。FAN7711N
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：DIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 12.4 V、电源电压（最大值） 15.2 V、工作电源电压 12.4～15.2 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DIP-8 封装。TC1411NVPA
Microchip Technology · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output，采用 PDIP-8 封装。MIC4605-2YMT-T5
Microchip Technology · 封装：TDFN-10
主要参数包括电源电压（最小值） 5.25 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电压 1.9 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 TDFN-10 封装。UCC27523DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。2EDL05I06PF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。VN340SPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 36 V、输出电流 700 mA、技术 Si、输出数 4 Output，采用 PowerSO-10 封装。MAX1614EUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 26 V、输出电流 60 uA、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 UMAX-8 封装。TC4422AVMF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 DFN-8 封装。SI8235BD-D-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 9.4～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。MIC4126YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4126YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。ADP3110AKCPZ-RL
ON Semiconductor · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.15 V、电源电压（最大值） 13.2 V、输出电压 35 V、输出电流 700 uA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DFN-8 封装。SI8238AB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。L6227QTR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。