UCC27527DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录VND5T035LAKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LT1161CSW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 48 V、输出电压 12 V、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SO-20 封装。IRS2108STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 290 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。L6375D013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括技术 Si、类型 High Side、工作电源电流 20 mA、湿敏性 是、单件重量 0.009408 oz，采用 SO-20 封装。SI8233AB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。SI8241BB-D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 3.6 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、工作电源电流 2.5 mA，采用 SOIC-16 封装。2ED300C17-S ROHS
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2ED300C17SROHSBPSA1 SP000359184。L9857-TR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、工作电源电压 17 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 1 Driver。LTC4444EMS8E-5#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 7.2～13.5 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MSOP-8 封装。TC1413EUA713
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 MSOP-8 封装。LTC1255IS8#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 10.5 V、输出电流 23 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 SO-8 封装。SI8271BB-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。MADR-009269-000DIE
MACOM · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 4.5～5.5 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-8 封装。LT1158CSW#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SO-16 封装。SIC521CD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP-4525-22L
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP-4525-22L 封装。NCP3712ASNT3G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
主要参数包括输出电流 - 300 mA、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、耗散功率（Pd） 300 mW，采用 SC-74-6 封装。SZNUD3124DMT1G
ON Semiconductor · 封装：SC-74-6
主要参数包括电源电压（最大值） 28 V、技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SC-74-6 封装。RE46C108S8F
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 13.8 V、技术 Si、工作电源电流 4 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C，采用 SOIC-8 封装。MIC4128YMME
Microchip Technology / Micrel · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。