MIC4127YME-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、湿敏性 是、型号别名 MIC4127YME TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录UCC27528DSDR
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-8 封装。CSD97370AQ5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-22
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-22 封装。SI8235AB-D-IMR
Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 12 ns。ISL89163FBEAZ
Renesas / Intersil · 封装：SOIC-EP-8
主要参数包括电源电压（最大值） 16 V、输出电流 6 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 20 ns，采用 SOIC-EP-8 封装。MAX15013AASA+
Maxim Integrated · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 12.6 V、工作电源电压 8～12.6 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。UCC27201ADPRR
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。MCP14628-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 封装。VND5E160AJTR-E
STMicroelectronics · 封装：Power SSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 Power SSO-12 封装。TPS2829QDBVRQ1
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。UCC27200ADR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。TC4427AVMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。MAX17601AUA+T
Maxim Integrated · 封装：UMAX-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 UMAX-8 封装。MAX5048AATT+T
Maxim Integrated
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、技术 Si、类型 Low Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、上升时间 82 ns。FAN3226TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。ADUM1233BRWZ-RL
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 3 mA、耗散功率（Pd） 1 W，采用 SOIC-16 封装。VNQ830PTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 4 Driver。6EDL04I06PTXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-Wide-28
主要参数包括技术 Si、高度 2.65 mm、长度 18.1 mm、宽度 7.6 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-Wide-28 封装。FDMF6705B
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。LM5104SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。