IR25604SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TC4426ACOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。VN5025AJTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 1.5 mA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q100。VN5E050MJTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 41 V、工作电源电压 4.5～28 V、输出电流 27 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-12 封装。IRS2181SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。VNL5030S5TR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ADUM3223BRZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 2.3 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 870 A，采用 SOIC-16 封装。IR2304SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 5～20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。UCC27425QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。2EDL05N06PFXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm、长度 4.9 mm、宽度 3.9 mm、湿敏性 是、商品名称 EiceDRIVER，采用 SOIC-8 封装。SIC620ACD-T1-GE3
Vishay / Siliconix · 封装：MLP55-31-35
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 MLP55-31-35 封装。UCD7201PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。ISL6208CRZ-T
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括最大时钟频率 2000 kHz、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN EP 封装。UCD7100PWPR
Texas Instruments · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 HTSSOP-14 封装。MC33880PEWR2
NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、型号别名 935320246518、单件重量 0.017990 oz。TC1427COA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 16 V、工作电源电压 4.5～16 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCD74106RGMR
Texas Instruments · 封装：VQFN-13
主要参数包括电源电压（最小值） 2.2 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 2.2～18 V、输出电压 3.3 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 VQFN-13 封装。UCC27211DRMR
Texas Instruments · 封装：VSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 7.8～20 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 VSON-8 封装。IRS2101PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 130 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-8 封装。CSD95373AQ5M
Texas Instruments · 封装：LSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 LSON-CLIP-12 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。