EL7457CUZ-T7
Renesas / Intersil · 封装：QSOP-16
主要参数包括最大时钟频率 40000 kHz、电源电压（最大值） 16.5 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output，采用 QSOP-16 封装。电源管理与驱动
按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
型号列表
134,686 条型号记录TPS2828DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOT-23-5 封装。NCV8403ASTT3G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率（Pd） 1.56 W，采用 SOT-223-3 封装。DRDNB21D-7
Diodes Incorporated · 封装：SOT-363-6
主要参数包括电源电压（最小值） 0.5 V、输出电压 0.3 V、输出电流 100 mA、技术 Si、产品 Relay Drivers、驱动器数 2 Driver，采用 SOT-363-6 封装。LM5112SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-6
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 3.5～14 V、输出电流 7 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-6 封装。UCC27528DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。MC33151DR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6.5 V、技术 Si、类型 Inverting、逻辑类型 CMOS, LSTTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output，采用 SOIC-8 封装。FAN7171MX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 1.5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。TC4426AEOA713
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。UCC27322DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。IR2011STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。MD1210K6-G
Microchip Technology · 封装：QFN-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 13 V、工作电源电压 12 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 QFN-12 封装。IR2132STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-28 封装。UCC27201ADDAR
Texas Instruments · 封装：SO-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 8～20 V、输出电压 0.25 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C，采用 SO-PowerPad-8 封装。UCC27425DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。FAN3122TMPX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：MLP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 12 V、输出电流 9.7 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 MLP-8 封装。IRS2110STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 2.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-16 封装。IRS4427STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 6～20 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。IR2301STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。UCC27322QDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。