IXDI609SIATR
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录VN7020AJTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 3 uA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-16 封装。DRV591VFP
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.8～5.5 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 HLQFP-32 封装。UC2950T
Texas Instruments · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 35 V、工作电源电压 8～35 V、输出电流 4 A、工作温度范围 - 20 C to + 100 C、技术 Si，采用 TO-220-5 封装。NCV8440ASTT1G
ON Semiconductor · 封装：SOT-223-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、上升时间 710 ns，采用 SOT-223-3 封装。IR2302SPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 5～20 V、输出电压 5～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。L6387ED013TR
STMicroelectronics · 封装：SO-8
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SO-8 封装。MIC4451ZT
Microchip Technology / Micrel · 封装：TO-220
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 12 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-220 封装。VN7010AJTR
STMicroelectronics · 封装：PowerSSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 5 V、输出电流 10 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSSO-16 封装。VNL5030JTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。MC34932EK
NXP / Freescale · 封装：SOIC-54-EP
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 5～28 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 SOIC-54-EP 封装。VND5T016ASPTR-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-16
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 24 V、工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side，采用 PowerSO-16 封装。IXDI630YI
IXYS Integrated Circuits · 封装：TO-263-5
主要参数包括电源电压（最小值） 12.5 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电压 12.5 V、输出电流 30 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 TO-263-5 封装。L6386ED013TR
STMicroelectronics · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、电源电压（最大值） 17 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-14 封装。VNQ5027AKTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 13 V、输出电流 42 A、技术 Si、驱动器数 4 Driver、输出数 4 Output。VN340SPTR-33-E
STMicroelectronics · 封装：PowerSO-10
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 36 V、工作电源电压 10～36 V、输出电流 1 A、技术 Si、输出数 1 Output，采用 PowerSO-10 封装。CSD97395Q4M
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 150 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是、商品名称 NexFET，采用 VSON-CLIP-8 封装。UCC27524ADGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。IRS21844STRPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-14 封装。TC4421AVAT
Microchip Technology · 封装：TO-220-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 9 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 TO-220-5 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。