L6375D
STMicroelectronics · 封装：SO-20
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side、输出数 1 Output，采用 SO-20 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SM72295MAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 8～14 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-28 封装。ISL6627CRZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-10
主要参数包括技术 Si、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、产品系列 ISL6627、高度 0.95 mm、长度 3 mm，采用 DFN-EP-10 封装。CSD95378BQ5MCT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 High Side、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、湿敏性 是，采用 VSON-CLIP-12 封装。FDMF6840C
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 16 V、输出电流 50 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IR2213PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 12 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 1.7 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 PDIP-14 封装。IR2131SPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 160 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-28 封装。DRV593VFP
Texas Instruments · 封装：HLQFP-32
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.87 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 HLQFP-32 封装。MCP1415T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOT-23-5 封装。MCP1416T-E/OT
Microchip Technology · 封装：SOT-23-5
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOT-23-5 封装。TPL7407LDR
Texas Instruments · 封装：SOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 40 V、工作电源电压 0～40 V、输出电压 40 V、输出电流 600 mA、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 SOP-16 封装。MIC4417YM4-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOT-143
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 25 mV、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOT-143 封装。L6385ED
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers、驱动器数 2 Driver。UCC27524DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电压 0.075 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。LM5106MM/NOPB
Texas Instruments · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.6～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 MSOP-10 封装。NCV8460ADR2G
ON Semiconductor
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.002540 oz。UCC27524DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5106SD/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.6～14 V、输出电流 1.8 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。IXDN609SIA
IXYS Integrated Circuits · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 35 V、技术 Si、类型 Non-Inverting、上升时间 22 ns、下降时间 15 ns，采用 SOIC-8 封装。FAN7388MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 15 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-20 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。