TPS28225TDRBRQ1
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TPS28225TDRQ1
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括工作温度范围 - 40 C to + 105 C、技术 Si、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 105 C、认证等级 AEC-Q100、特性 Synchronous Rectification，采用 SOIC-8 封装。AUIRS2123STR
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si、类型 High Side，采用 SOIC-8 封装。VN5E050AJTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 28 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver。LM5107MAX/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。FAN3227CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3228TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3229TMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。FAN3229CMX-F085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Low Side，采用 SOIC-8 封装。MIC4224YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4224YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。TPS2811DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 4～14 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。LM5107MA/NOPB
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、工作电源电压 7.5～14 V、输出电流 1.4 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。FAN7080MX-GF085
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 5.5～20 V、输出电流 300 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。HIP2104FRAANZ
Renesas / Intersil · 封装：DFN-EP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 50 V、输出电压 4 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 DFN-EP-12 封装。FDMF6823A
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 60 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IR2111PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 PDIP-8 封装。IRS21531DPBF
Infineon Technologies · 封装：DIP-8
主要参数包括最大时钟频率 100 kHz、电源电压（最小值） 10.1 V、电源电压（最大值） 16.8 V、输出电流 260 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 DIP-8 封装。LM25101ASD-1/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 9～18 V、输出电压 0.12 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C，采用 WSON-8 封装。FDMF6705
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：PQFN-40
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 40 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PQFN-40 封装。IR21844PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10～20 V、输出电流 1.9 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 PDIP-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。