TBD62387APG
Toshiba · 封装：DIP-20
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 8 Output、耗散功率（Pd） 1.76 W，采用 DIP-20 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录TCK401G,LF
Toshiba · 封装：WCSP-6E-6
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 8.5 V、输出电流 38 uA、工作温度范围 - 40 C to + 85 C、技术 Si，采用 WCSP-6E-6 封装。DGD05062FN-7
Diodes Incorporated · 封装：W-DFN3030-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 Half-Bridge Drivers，采用 W-DFN3030-10 封装。TBD62381AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-18
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-18 封装。TBD62304APG,HZ
Toshiba · 封装：DIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS，采用 DIP-16 封装。TBD62064AFAG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-24
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 4 Output、耗散功率（Pd） 1.4 W，采用 SSOP-24 封装。MLX83203KLW-DBA-000-SP
Melexis
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。TBD62308APG
Toshiba · 封装：DIP-16
主要参数包括输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、产品 Driver ICs - Various、输出数 4 Output、耗散功率（Pd） 2.7 W，采用 DIP-16 封装。TD350ETR
STMicroelectronics · 封装：SO-14
主要参数包括电源电压（最大值） 26 V、输出电流 2.3 A、技术 Si、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SO-14 封装。SI8233AB-D-IM
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。MC10XS4200FK
NXP / Freescale · 封装：PQFN-23
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 58 V、工作电源电压 8～36 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 High Side，采用 PQFN-23 封装。UCC27511DBVR
Texas Instruments · 封装：SOT-23-6
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 8 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、技术 Si，采用 SOT-23-6 封装。IR3550MTRPBF
Infineon / IR · 封装：PQFN-32
主要参数包括最大时钟频率 1000 kHz、电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 14 V、输出电压 0.25～3.3 V、输出电流 60 A、技术 Si，采用 PQFN-32 封装。IR2302STRPBF
Infineon / IR · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 350 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 SOIC-8 封装。VND3NV04-E
STMicroelectronics · 封装：TO-252
主要参数包括输出电流 3.5 A、技术 Si、输出数 1 Output、工作电源电流 100 uA、耗散功率（Pd） 35 W、认证等级 AEC-Q100，采用 TO-252 封装。L6384ED013TR
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） - 0.3 V、工作电源电压 15.6 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Half-Bridge Drivers。MIC4421ZM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、型号别名 MIC4421ZM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。BU2090F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.7～5.5 V、输出电压 5.5～25 V、输出电流 25 mA、技术 Si。MCP14E3-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-8 封装。TPS28225DRBT
Texas Instruments · 封装：SON-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 8.8 V、工作电源电压 4～8.8 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SON-8 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。