SI8274GB1-IM1
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14A0602-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8 Narrow
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 0.025 V, 4.475 V、输出电流 6 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-8 Narrow 封装。CSD95472Q5MCT
Texas Instruments · 封装：VSON-CLIP-12
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 5.5 V、输出电流 60 A、工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si，采用 VSON-CLIP-12 封装。1EDI40I12AHXUMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.1 V、电源电压（最大值） 35 V、输出电流 7.5 A、技术 Si、类型 High Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-8 封装。1EDI10I12MHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI10I12MH SP001287468。1EDI30I12MHXUMA1
Infineon Technologies
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 1EDI30I12MH SP001287434。Si8271BBD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。IRS2890DSPBF
Infineon Technologies · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 10～20 V、输出电流 480 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。SI8274DB4D-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。MCP14A0155-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。LTC7000EMSE-1#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。LTC7000IMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3.5 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-16 封装。TBD62064AFG,EL
Toshiba · 封装：HSOP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 25 V、工作电源电压 2.5～25 V、输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、工作温度范围 - 40 C to + 85 C，采用 HSOP-16 封装。LTC7001HMSE#PBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 135 V、输出电压 3.5～15 V、技术 Si、类型 High Side、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-10 封装。TBD62387AFNG,EL
Toshiba · 封装：SSOP-20
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 50 V、输出电流 500 mA、技术 Si、逻辑类型 CMOS，采用 SSOP-20 封装。MADR-009190-0001TR
MACOM · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电流 35 mA、技术 GaAs、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 Driver ICs - Various，采用 SOIC-16 封装。SI8271AB-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-8 封装。SI8274BB1-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。SI8274AB1-IS1
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。TBD62064APG
Toshiba · 封装：DIP-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2 V、电源电压（最大值） 25 V、输出电压 50 V、输出电流 1.25 A、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 DIP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。