MIC4104YM-TR
Microchip Technology / Micrel · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、型号别名 MIC4104YM TR、单件重量 0.019048 oz，采用 SOIC-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录ADUM3221WARZ-RL7
Analog Devices · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3.3 V、电源电压（最大值） 5 V、输出电流 4.7 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、工作电源电流 700 A，采用 SOIC-8 封装。UCC37321DR
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC37321DGNR
Texas Instruments · 封装：MSOP-PowerPad-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4 V、电源电压（最大值） 15 V、工作电源电压 4～15 V、输出电流 9 A、工作温度范围 0 C to + 70 C、技术 Si，采用 MSOP-PowerPad-8 封装。TC4420EMF713
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、工作电源电压 4.5～18 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL，采用 DFN-8 封装。MC33883HEGR2
NXP Semiconductors · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、电源电压（最大值） 55 V、工作电源电压 5.5～55 V、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 SOIC-20 封装。UCC21540ADWKR
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 6 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。UCC23313DWY
Texas Instruments · 封装：SOIC-6
主要参数包括输出电压 14～33 V、输出电流 5.3 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-6 封装。UCC21540ADWK
Texas Instruments · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 18 V、输出电流 6 A、技术 氮化镓（GaN）、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-14 封装。UCC23313DWYR
Texas Instruments · 封装：SOIC-6
主要参数包括输出电压 14～33 V、输出电流 5.3 A、技术 碳化硅（SiC）、类型 High Side, Low Side、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver，采用 SOIC-6 封装。NCV5703ADR2G
ON Semiconductor · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 0 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电压 5 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0454T-E/SN
Microchip Technology · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 SOIC-8 封装。MCP14A0305T-E/MS
Microchip Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 3 A、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting、逻辑类型 CMOS，采用 MSOP-8 封装。UCC5310MCDWV
Texas Instruments · 封装：SOIC-8
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 15 V、输出电压 13.2～33 V、输出电流 4.3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-8 封装。UCC21520DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 9.2～25 V、输出电流 6 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 SOIC-16 封装。UCC27201AQDMKRQ1
Texas Instruments · 封装：SON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 17 V、输出电流 3 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SON-10 封装。NCV8401BDTRKG
ON Semiconductor · 封装：DPAK-3
主要参数包括技术 Si、类型 Low Side、产品 Relay Drivers、输出数 1 Output、配置 Single、耗散功率（Pd） 2 W，采用 DPAK-3 封装。DRV8323RSRGZR
Texas Instruments · 封装：VQFN-48
主要参数包括电源电压（最小值） 6 V、电源电压（最大值） 60 V、输出电流 2 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 VQFN-48 封装。2EDN7524FXTMA1
Infineon Technologies · 封装：SOIC-8
主要参数包括技术 Si、商品名称 EiceDRIVER、型号别名 2EDN7524F SP001339264、单件重量 0.057144 oz，采用 SOIC-8 封装。ISO5452DWR
Texas Instruments · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.25 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 15～30 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。