SI9750CY-T1
Vishay / Siliconix
主要参数包括电源电压(最小值) 2.9 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 900 mW。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Vishay / Siliconix
主要参数包括电源电压(最小值) 2.9 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 1 Driver、输出数 1 Output、耗散功率(Pd) 900 mW。Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 PXE1410CDM-G023 SP002466170。Maxim Integrated · 封装:LCC-20
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 1.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 LCC-20 封装。ROHM Semiconductor · 封装:SSOP-20
主要参数包括技术 Si、型号别名 BM60013FV-C,采用 SSOP-20 封装。STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 85 V、输出电流 1 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 85 V、输出电流 1 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 85 V、输出电流 1 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Maxim Integrated · 封装:CERDIP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 CERDIP-8 封装。NXP / Freescale
主要参数包括技术 Si、型号别名 939100004658。Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。Maxim Integrated
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、技术 Si、类型 Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。Microchip Technology / Micrel · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 20 V、工作电源电压 4.5~20 V、输出电压 25 mV、输出电流 3 A、技术 Si,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 MSOP-8 封装。Microchip Technology · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5.5 V、电源电压(最大值) 16 V、输出电压 85 V、输出电流 1 A、类型 Half-Bridge、逻辑类型 TTL,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 MSOP-8 封装。Power Integrations · 封装:eSOP-R16B
主要参数包括电源电压(最小值) 4.75 V, 22 V、电源电压(最大值) 5.25 V, 28 V、输出电流 5 A、技术 Si、类型 Inverting、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 eSOP-R16B 封装。Microchip Technology · 封装:TSSOP-16
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.006102 oz,采用 TSSOP-16 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。