2DM180206CM
Tamura · 封装：DIP-34
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 17～19.8 V、输出电流 150 mA、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-34 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录2DM180506CM
Tamura · 封装：54.5 mm x 36.5 mm x 22.5 mm
主要参数包括电源电压（最小值） 13 V、电源电压（最大值） 28 V、输出电压 - 4 V to - 6 V, 17 V to 19 V、输出电流 18 A、技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 54.5 mm x 36.5 mm x 22.5 mm 封装。NJW4814MLE-TE2
NJR · 封装：EQFN24-LE-24
主要参数包括技术 Si，采用 EQFN24-LE-24 封装。LM5113SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 5 V、输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si，采用 WSON-10 封装。FAN73892MX
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-28
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、输出电流 650 mA、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 SOIC-28 封装。IR2155PBF
Infineon Technologies · 封装：PDIP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 20 V、工作电源电压 10 V、输出电压 10～20 V、输出电流 500 mA、技术 Si，采用 PDIP-8 封装。IRS26302DJTRPBF
Infineon Technologies · 封装：PLCC-32
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、输出电流 200 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side、逻辑类型 CMOS, TTL、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 PLCC-32 封装。FAN7390M1X
ON Semiconductor / Fairchild · 封装：SOIC-14
主要参数包括电源电压（最小值） 10 V、电源电压（最大值） 22 V、工作电源电压 15 V、输出电流 4.5 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-14 封装。2DM150606CM
Tamura · 封装：DIP-34
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 14～16 V、输出电流 140 mA、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-34 封装。SI8281BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 10.2 mA、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-20 封装。LM5113TMX/NOPB
Texas Instruments · 封装：DSBGA-12
主要参数包括输出电流 5 A、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、逻辑类型 TTL、配置 Dual、上升时间 4 ns，采用 DSBGA-12 封装。SI8285CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge，采用 SOIC-16 封装。VND5E025ASTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。IXI858S1
IXYS · 封装：SOIC-8
主要参数包括输出电压 5 V、输出电流 1 A、技术 Si、产品 Half-Bridge Drivers、单件重量 0.010582 oz，采用 SOIC-8 封装。VND810PEPTR-E
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最小值） 5.5 V、工作电源电压 13 V、技术 Si、类型 High Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output。SI8285BD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI8282CD-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-20
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-20 封装。SI8283BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 10.2 mA、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-24 封装。SI8284BD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 10.2 mA、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-24 封装。SI8284CD-IS
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 10.2 mA、技术 Si、类型 Inverting, Non-Inverting，采用 SOIC-24 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。