LTC4440AMPMS8E-5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC1478CS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-16 封装。MADR-010574-TR1000
MACOM · 封装：PQFN-16
主要参数包括技术 Si、类型 Inverting、产品 Driver ICs - Various、上升时间 2.5 ns、工作电源电流 10 uA、最小工作温度 - 40 C，采用 PQFN-16 封装。LTC3900MPS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、工作电源电流 7 mA、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LMG3411R070RWHR
Texas Instruments · 封装：QFN-32
主要参数包括电源电压（最小值） 9.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电压 5 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 QFN-32 封装。GA15IDDJT22-FR4
GeneSiC Semiconductor
主要参数包括技术 Si。IS31IO7328-QFLS4-TR
ISSI · 封装：QFN-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.4 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 2.4～5.5 V、输出电流 100 mA、技术 Si、产品 Driver ICs - Various，采用 QFN-16 封装。DIO5110DN8
DIOO Microcircuits
Gate Drivers 12V MOSFET driver with output disableNJW4832KH1-A-TE3
NJR
主要参数包括技术 Si、商品名称 NJW48。NJW4841R-TE1
NJR
主要参数包括技术 Si。NJW4841RT1-TE1
NJR
主要参数包括技术 Si。DIO5105MP10
DIOO Microcircuits
Gate Drivers 40V Half-Bridge HVICDIO5100MP10
DIOO Microcircuits
Gate Drivers 12V MOSFET driver with dead-timeNJW4828L-A
NJR
主要参数包括技术 Si。NJW4822KH1-B-TE3
NJR
主要参数包括技术 Si。NJW4832KH1-B-TE3
NJR
主要参数包括技术 Si。NJW4822KH1-A-TE3
NJR
主要参数包括技术 Si、商品名称 NJW48。NJW4810AGM1-C-TE1
NJR
主要参数包括技术 Si。NJW4810GM1-C-TE2
NJR
主要参数包括技术 Si。2DM150806CM
Tamura · 封装：DIP-34
主要参数包括电源电压（最小值） 15 V、电源电压（最大值） 24 V、输出电压 14～16 V、输出电流 130 mA、技术 Si、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers，采用 DIP-34 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。