LTC3900HS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、产品 MOSFET Gate Drivers、输出数 1 Output、工作电源电流 7 mA、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC1255CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1710CMS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。MLX83100LGO-DBA-000-RE
Melexis
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。LT1160CS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-14 封装。LTC1155CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LT1336CS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-16 封装。LTC1710IS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1477CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。HIP2101IRZT
Renesas / Intersil · 封装：QFN EP
主要参数包括电源电压（最大值） 14 V、输出电流 2 A、技术 Si、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、上升时间 600 ns，采用 QFN EP 封装。LT1160IS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-14 封装。PXE1211CPMG023XTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 PXE1211CPM-G023 SP005343462。LT1684CS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-14 封装。LT1336IS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-16 封装。PXE1110CPMG023XTMA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 PXE1110CPM-G023 SP005343466。LTC1255IS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1155IS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LT1684IS#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-14
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-14 封装。MLX83203KLW-DBA-000-RE
Melexis
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是。LTC4441MPMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。