LTC4440EMS8E-5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SOT-6
主要参数包括技术 Si、高度 1 mm,采用 SOT-6 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。IDT · 封装:PQFN-40
主要参数包括技术 Si、湿敏性 是、单件重量 0.008254 oz,采用 PQFN-40 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-16
主要参数包括技术 Si,采用 SO-16 封装。IDT · 封装:VFQFPN-40
主要参数包括电源电压(最小值) 8 V、电源电压(最大值) 15 V、输出电压 5 V、输出电流 45 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 VFQFPN-40 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括电源电压(最小值) 7.2 V、电源电压(最大值) 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性 是。Silicon Labs · 封装:LGA-8
主要参数包括电源电压(最小值) 5 V、电源电压(最大值) 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟(最大值) 70 ns、工作电源电流 30 mA,采用 LGA-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-24
主要参数包括技术 Si,采用 SO-24 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm,采用 SO-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output、配置 Dual、湿敏性 是。ON Semiconductor · 封装:SSOP-24
主要参数包括电源电压(最小值) 3.15 V、电源电压(最大值) 5.25 V、输出电流 0.5 A、技术 Si、逻辑类型 TTL、产品 Half-Bridge Drivers,采用 SSOP-24 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-10
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output,采用 MSOP-10 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。