SI8275ABD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录LTC4444IMS8E#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。SI8275BB-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275DAD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275AB-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8273AB-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8274GB1-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI823H9CD-IS4R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。SI823H9BD-IS4R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。SI823H9AD-IS4R
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。LTC4441EMSE#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-10
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-10 封装。SI8275BBD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。LTC4444IMS8E-5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。SI8274AB1-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275DA-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275DB-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。LTC4440EMS8E#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。LTC4440ES6-5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括技术 Si、高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。LTC4440ES6#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括技术 Si、高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。SM74104SDX/NOPB
Texas Instruments · 封装：WSON-10
主要参数包括电源电压（最小值） 9 V、电源电压（最大值） 14 V、工作温度范围 - 40 C to + 125 C、技术 Si、类型 Half-Bridge、产品 Half-Bridge Drivers，采用 WSON-10 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。