SI82391BB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录SI82398AB4-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。ISL78424AVEZ-T
Renesas / Intersil · 封装：HTSSOP-14
主要参数包括电源电压（最小值） 8 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Half-Bridge、逻辑类型 CMOS，采用 HTSSOP-14 封装。SI82398CB4-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。LTC4441ES8-1#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1693-5CMS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。LTC1693-3CMS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。LTC4444EMS8E-5#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si、输出数 1 Output，采用 MSOP-8 封装。LTC4446EMS8E#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。SI8235AB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8235BB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8234AB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8233AB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI8261ACD-C-IMR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性 是。SI8274AB4D-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8275GBD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。SI8261ABD-C-IMR
Silicon Labs · 封装：LGA-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 LGA-8 封装。SI8261AAD-C-IMR
Silicon Labs · 封装：LGA-8
主要参数包括电源电压（最小值） 5 V、电源电压（最大值） 30 V、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、传播延迟（最大值） 60 ns、工作电源电流 2 mA，采用 LGA-8 封装。LTC4446IMS8E#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括技术 Si，采用 MSOP-8 封装。SI8275DBD-IM1R
Silicon Labs · 封装：QFN-14
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 4.2～30 V、输出电流 10 mA、技术 碳化硅（SiC）、类型 Half-Bridge，采用 QFN-14 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。