LTC1982ES6#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SOT-6
主要参数包括技术 Si、高度 1 mm，采用 SOT-6 封装。电源管理与驱动
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型号列表
134,686 条型号记录MCP14E7T-E/MF
Microchip Technology · 封装：DFN-8
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 18 V、输出电流 2 A、技术 Si、类型 Non-Inverting、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 DFN-8 封装。SI8284CC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。SI8283CC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。SI8284BC-ISR
Silicon Labs · 封装：SOIC-24
主要参数包括电源电压（最小值） 2.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-24 封装。Si823H9CC-ISR
Silicon Labs
主要参数包括技术 Si。SIC645ADR-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括技术 Si、商品名称 DrMOS VRPower。LT1158ISW#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-16
主要参数包括技术 Si，采用 SO-16 封装。LTC1693-2CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1693-1CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC1623CS8#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：SO-8
主要参数包括技术 Si、高度 1.75 mm，采用 SO-8 封装。LTC4444EMS8E#TRPBF
Analog Devices / Linear Technology · 封装：MSOP-8
主要参数包括电源电压（最小值） 7.2 V、电源电压（最大值） 13.5 V、输出电压 0.7 V、输出电流 3 A、类型 High Side、产品 MOSFET Gate Drivers，采用 MSOP-8 封装。SI8233BB-D-IM1R
Silicon Labs · 封装：LGA-14
主要参数包括电源电压（最小值） 4.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 6.5～24 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 LGA-14 封装。SI82391CB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI82396BB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI82395BB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 8 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI82394AB4-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82390CB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。SI82394CB4-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 12 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side，采用 SOIC-16 封装。SI82396AB-IS1R
Silicon Labs · 封装：SOIC-16
主要参数包括电源电压（最小值） 2.5 V、电源电压（最大值） 5.5 V、输出电压 6 V、输出电流 4 A、技术 Si、类型 Non-Inverting，采用 SOIC-16 封装。型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。