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Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。按型号、制造商与产品类别查询芯片技术资料。
Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5~24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、认证等级 AEC-Q100。Silicon Labs
主要参数包括工作电源电压 6.5~24 V、输出电流 500 mA、技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、驱动器数 2 Driver、上升时间 20 ns。Silicon Labs
主要参数包括技术 Si、产品 Isolated Gate Drivers、湿敏性 是。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 TDFN-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:MSOP-8
主要参数包括技术 Si,采用 MSOP-8 封装。Monolithic Power Systems (MPS)
主要参数包括技术 Si。STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。ON Semiconductor · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 10 V、电源电压(最大值) 17 V、输出电压 17 V、输出电流 3.5 A、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-8 封装。Microchip Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、工作电源电压 5 V、技术 Si、类型 High Side, Low Side、驱动器数 2 Driver、输出数 2 Output,采用 DFN-8 封装。Analog Devices / Linear Technology · 封装:DFN-8
主要参数包括技术 Si,采用 DFN-8 封装。Microchip Technology · 封装:TDFN-8
主要参数包括电源电压(最小值) 4.5 V、电源电压(最大值) 18 V、输出电流 12 A、类型 Low Side、产品 MOSFET Gate Drivers、驱动器数 1 Driver,采用 TDFN-8 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-20 封装。Silicon Labs · 封装:SOIC-20
主要参数包括电源电压(最小值) 2.8 V、电源电压(最大值) 5.5 V、输出电压 30 V、输出电流 84 mA、技术 Si、类型 High Side, Low Side,采用 SOIC-20 封装。STMicroelectronics
主要参数包括技术 Si、认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是。Analog Devices · 封装:SOIC-8
主要参数包括电源电压(最小值) 3.3 V、电源电压(最大值) 35 V、输出电压 4.5~35 V、输出电流 2 A、逻辑类型 CMOS、产品 IGBT, MOSFET Gate Drivers,采用 SOIC-8 封装。型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。